太赫茲技術研究團

Large area terahertz emitter

參考資料: High-Power Terahertz Generation Using Large-Area Plasmonic Photoconductive Emitters
了解原著是如何改善大面積發射器並且清楚知道大面積發射器的缺點,朝著改善缺點的發向前進以增加發射器的效能
(1)   討論此篇設計架構
原著利用表面電漿增加架構對於光的吸收,使得電極可以吸收到更多載子獲得更多的光電流。
(2)   了解發射器的缺點
發射器有個致命缺點那就是熱,如果能夠改善熱的問題,那我們就可以提高操作電壓,以及雷射強度,如此我們就可以獲得更高的能量。
(3)   提出另一個架構
 
新的架構可以改善不必要的暗電流避免產生熱,這樣我們就可以給他更高功率的雷射以及高電壓操作產生更多的兆赫茲,另外新的架構擁有更大的電場分布也利於我們產生兆赫茲波。
(4)   製程

由於製程繁雜,所以我希望可以減少製程步驟,所以我提出了光柵和電極一起做的流程,但是在討論之後是不可行的,因為光柵和電極的高度不同,如果把電極的高度和光柵的高度弄成相同時會導致電極的金非常容易燒掉。如果把光柵的高度和電極的高度弄成相同時,在理論上會擁有更好的性能,但在製程上是不可行的因為要剝離的光阻無法上到需要的厚度。 


黃晟齊 / 2017-10-31

Fabrication of terahertz device

太赫茲技術團第一期讀書會心得
會議時間
2017/10/06
會議地點
工三館103
參予成員
吳柏毅、洪繹峻、蕭芳松、謝易佐、羅元均、魏天韻、吳東衡
導讀人
黃晟齊
內容:
標題:Fabrication of terahertz device 
參考資料: Advanced Plasmonic Photoconductive Sources for Pulsed and
Continuous-Wave Terahertz Generation-Chapter2
此篇論文談及內容包含範圍廣泛,此次會議引用其中第二章節的製程步驟、理論深入討論,並提出改善方法,以下為主要討論項目:
(1)   Enhanced Performance by Utilizing Plasmonic Nanostructures
在討論製程前,先講述使用的理論,並且描述如何使用3D奈米結構去完成突破繞射極限,讓大家都對這項結構有基本知識基礎,及為何使用這種方式進行。
(2)   Three-Dimensional Plasmonic Nanostructures.
更詳細的闡述理論模態,解釋電漿子物理的條件、原理,並帶回結構討論2D3D結構的優劣分析。
(3)   Design
討論此篇資料中所設計的結構
金色:Au 深土色:LT-GaAs
(4)   Fabrication
藉由原著製程方式為起點,導讀人先提出了自己的解決方式(降低難度方式),並由其他參予成員進行討論。
上圖為原著的製程流程(其步驟為省略後)
上圖為導讀人提出之流程架構再由參予成員討論後產生的優化版製程流程圖,我們預計可以改良蝕刻方式,來造成更容易的掀離步驟。
結論:以上為本期討論內容,比實驗室Meeting多了更多的討論,我(導讀人)認為可以得到更多不一樣的答案和結果,本期結論為一個別於原著的流程,但僅為預計流程,未來我們希望能夠藉由實驗室去完成這個成品。
 

 


黃晟齊 / 2017-10-17
Large area terahertz emitter 2017-10-31 Fabrication of terahertz device 2017-10-17


Copyright©2007-2009 National Tsing Hua University ALL RIGHTS RESERVED
最佳解析度為1024*768或1280*1024
聯絡我們 101, Section 2, Kuang-Fu Road, Hsinchu, Taiwan 30013, R.O.C. 30013 新竹市光復路二段101號 代表號:03-5716200 統一編號:46804804